China y Huawei lideran la carrera por chips a 3 nm

Conocíamos los planes de China para seguir innovando en la tecnología de litografía de patrones cuádruples autoalineados, conocida como SAQP, utilizando los escáneres actuales de ASML. Se ha mencionado que el nuevo Kirin se fabricaba a 5 nm mediante un método innovador, aunque finalmente se confirmó que se mantenía en 7 nm con un patrón doble. Sin embargo, una reciente patente revela que China busca alcanzar los 3 nm en un proyecto que inició hace más de un año.

Este avance surge en un momento de tensiones con la administración Biden. Huawei presentó una patente con siete etapas que apuntaban a un nuevo método para SAQP, lo que sugiere un avance hacia tecnologías aún más avanzadas que los 5 nm.

La meta de China: chips a 3 nm

Patente China chips 3 nm

Lograrlo no será sencillo. ASML ha advertido previamente sobre la complejidad y los rendimientos extremos necesarios para alcanzar los 5 nm, lo que hace inviable una producción a gran escala. Esto plantea desafíos tanto técnicos como financieros para China.

Según la descripción de la patente:

El proceso SAQP implica la utilización de múltiples capas para crear el patrón del circuito, con una precisión y complejidad que permiten mejorar la densidad del patrón final del circuito.

A pesar de que otras compañías, como TSMC, utilizan métodos similares, China busca innovar en este campo.

Mayor densidad y flexibilidad en el diseño de patrones

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El objetivo principal es mejorar la densidad del patrón del circuito para lograr el ansiado tamaño de 3 nm, pero para lograrlo, se debe superar ciertos desafíos técnicos, como señala la patente:

El tamaño de las características del patrón de circuito está limitado por el método convencional, lo que dificulta la mejora de la densidad del mismo.

Además, el diseño de patrones de circuitos enfrenta restricciones que dificultan la innovación.

Por lo tanto, es crucial resolver estos desafíos para avanzar hacia los 3 nm.

En resumen, China busca una nueva solución en 7 pasos para aumentar la densidad y flexibilidad del diseño de patrones.

Los pasos hacia los 3 nm

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Aunque los detalles técnicos y la viabilidad del proceso aún son desconocidos, las siete etapas propuestas por Huawei son:

  • Etapa 1 -> Colocar varias capas para preparar la hard mask.
  • Etapa 2 -> Realizar fotolitografía en la capa de la hard mask.
  • Etapa 3 -> Grabar las capas antirreflectantes y de sacrificio.
  • Etapa 4 -> Eliminar capas para crear una nueva hard mask.
  • Etapa 5 -> Realizar fotolitografía en la nueva hard mask.
  • Etapa 6 -> Grabar la capa antirreflectante y la capa a grabar basándose en la nueva hard mask.
  • Etapa 7 -> Eliminar la última hard mask y la capa antirreflectante.

Este es solo un vistazo a un proceso complejo que enfrenta desafíos adicionales con cada capa adicional, lo que podría resultar en una complejidad extrema y costos elevados. China se encuentra en una carrera tecnológica, pero el camino hacia los 3 nm está plagado de obstáculos.

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