Samsung revela roadmap de memoria: 3D DRAM para 2030 con 16 capas

En el proceso de desarrollo de memoria, nos encontramos con una restricción de espacio disponible, ya sea en la memoria RAM, memoria NAND para SSD y otros tipos. En última instancia, nos vemos limitados por el formato utilizado y las dimensiones del chip en el que se integrará. Para abordar esta limitación, se ha reducido el tamaño y se ha aumentado la densidad mediante el uso de múltiples capas apiladas de manera vertical. Este avance lo observamos en la memoria 3D NAND, pero ahora nos referimos a la memoria 3D DRAM, ya que Samsung tiene planeado fabricar una versión con 16 capas para 2030, el doble de lo que Micron está desarrollando en la actualidad.

Conforme avanzan los años y la tecnología progresa, vemos cómo se obtienen chips más veloces, una experiencia más fluida en dispositivos móviles, PC y consolas, así como mayores requerimientos en aplicaciones y juegos. Si a esto le sumamos el auge de la inteligencia artificial, se hace necesario aumentar la capacidad de la memoria, el almacenamiento y el rendimiento que los equipos pueden ofrecer para poder aprovecharla. Es por esto que hemos comenzado a ver la inclusión de NPU en procesadores y APU de PC, al igual que discos duros y SSD de mayor capacidad para ordenadores y centros de datos.

Samsung desvela su plan para crear memoria 3D DRAM para 2030

Samsung 3D DRAM

Para continuar avanzando, será necesario contar con una memoria más rápida y de mayor capacidad. Por ello, los avances en la memoria 3D NAND y 3D DRAM son cruciales para lograr un mayor tamaño en cada chip. Hace unas semanas hablamos de la memoria 3D X-DRAM, que prometía aumentar la densidad en 8 veces en comparación con la memoria 2D. Este concepto fue introducido por NEO Semiconductor hace aproximadamente un año, pero también otras empresas de memorias tienen interés en seguir este camino.

Samsung es una de ellas, ya que durante la conferencia MemCon 2024 presentó su memoria 3D DRAM, que requerirá un proceso extenso para su producción. En su planificación, se observa que en unos años desarrollarán la memoria con VCT (transistor de canal vertical), para posteriormente producir la DRAM apilada con capacitores.

Samsung continuará compitiendo contra Micron y SK Hynix en el campo de las memorias 3D multicapa

Samsung-SK-Hynix-Micron-memoriaSamsung-SK-Hynix-Micron-memoria

Una vez completados estos pasos, el objetivo de Samsung es ofrecer memoria 3D DRAM de 16 capas para el año 2030, fecha en la que lanzarán esta innovación por primera vez. Si se logra apilar tantas capas de memoria con un gran ancho de banda, se obtendrá una enorme capacidad de almacenamiento acompañada de un rendimiento sobresaliente. Aún es incierto si podrán alcanzar las 16 capas, dado que faltan 6 años para lograr su objetivo. Mientras tanto, Micron está trabajando en el desarrollo y pruebas de su propia memoria 3D con 8 capas, que todavía no ha sido comercializada.

Los esfuerzos de Micron se centran en la memoria HBM3E de 8 capas, que impulsará GPU como las futuras NVIDIA Blackwell para IA, así como modelos posteriores que se lanzarán más adelante. Hace un mes se revelaron nuevos detalles sobre la memoria HBM4 de próxima generación, que Micron planea lanzar en masa para el año 2026.

En Grupo MET podemos ayudarte a implementar esta y muchas mas herramienta para optimizar tu trabajo. ¡Contáctanos para saber más!

Contactanos